Name: onsemi NTH4L040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L040N120SC1

Náklad

Doba dodania

Položky v zásobách je možné odoslať do 24 hodín.Niektoré časti budú zariadené na doručenie do 1-2 dní od dátumu, že všetky položky dorazia do nášho skladu.A Allelco Lode objednávajú raz denne okolo 17:00, okrem nedele.Po odoslaní tovaru závisí odhadovaná doba dodania od metód prepravy a cieľa dodávky.Nasledujúca tabuľka je logistický čas pre niektoré spoločné krajiny.

Náklady

Ak máte, použite svoj výslovný účet na prepravu.
Použite náš účet pre zásielku.Približné poplatky nájdete v tabuľke nižšie.

(Rôzny časový rámec / krajiny / veľkosť balíka má inú cenu.)

Metóda dodania

Globálna spoločná zásielka od DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF, ktoré podporujeme.
Ďalšie ďalšie prepravné spôsoby, kontaktujte kontakt so svojím manažérom zákazníkov.

Spoločné krajiny logistické časové odkazy
Región	Krajina	Logistický čas (deň)
Amerika	Spojené štáty	5
Amerika	Brazília	7
Európa	Nemecko	5
	Spojené kráľovstvo	4
	Taliansko	5
Oceánia	Austrália	6
Oceánia	Nový Zéland	5
Ázia	India	4
Ázia	Japonsko	4
Stredný východ	Izrael	6

Referencia o poplatkoch za prepravu DHL a FedEx
Poplatky za prepravu (kg)	Referenčný DHL (USD $)
0,00 kg-1,00 kg	30,00 USD - 60,00 USD
1,00 kg-2,00 kg	40,00 USD - 80,00 USD
2,00 kg-3,00 kg	50,00 USD - 100,00 USD

Poznámka:: Vyššie uvedená tabuľka je určená iba na odkaz.Pre nekontrolovateľné faktory môžu existovať určité skreslenie údajov.
Kontaktujte nás, ak máte akékoľvek otázky.

Atribút produktu	Hodnota atribútu
Výrobca	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
technológie	SiCFET (Silicon Carbide)
Balík dodávateľov zariadení	TO-247-4L
séria	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V
Zníženie výkonu (Max)	319W (Tc)
Balík / puzdro	TO-247-4
Balík	Tube

Atribút produktu	Hodnota atribútu
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1762 pF @ 800 V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
Funkcia FET	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté)	20V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss)	1200 V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C	58A (Tc)
Základné číslo produktu	NTH4L040

Atribút produktu
Číslo dielu	NTH4L040N120SC1	NTH4L040N65S3F	NTH4L080N120SC1	NTH5G16P41B683J07H
Výrobca	onsemi	onsemi	onsemi	Murata Power Solutions
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V	158 nC @ 10 V	56 nC @ 20 V	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA	5V @ 2.1mA	4.3V @ 5mA	-
séria	-	FRFET®, SuperFET® III	-	-
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	+25V, -15V	-
Balík	Tube	Tube	Tube	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V	40mOhm @ 32.5A, 10V	110mOhm @ 20A, 20V	-
Prevádzková teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-
Základné číslo produktu	NTH4L040	NTH4L040	NTH4L080	-
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1762 pF @ 800 V	5940 pF @ 400 V	1670 pF @ 800 V	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté)	20V	10V	20V	-
Balík dodávateľov zariadení	TO-247-4L	TO-247-4L	TO-247-4L	-
Balík / puzdro	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	-
Funkcia FET	-	-	-	-
technológie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	-
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss)	1200 V	650 V	1200 V	-
Zníženie výkonu (Max)	319W (Tc)	446W (Tc)	170W (Tc)	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Typ montáže	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C	58A (Tc)	65A (Tc)	29A (Tc)	-

Ako našu oficiálnu verziu nájdete anglickú verziu.

NTH4L040N120SC1 - onsemi

technické údaje

Časti s podobnými špecifikáciami

NTH4L040N120SC1 DataShet PDF

Zákazníci sa tiež zaujímajú

Odporúčané výrobky

Náklad

Doba dodania

Náklady

Metóda dodania

Podpora platby

Váš verný partner dodávateľského reťazca -

Ak máte akékoľvek otázky, kontaktujte nás.

Certifikácie a členstvo