Spoločnosť Samsung spúšťa 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM, ktorá podporuje až 128 GB pamäťové moduly
Podľa spoločnosti WCCFTech spoločnosť Samsung oznámila spustenie prvého 32 GB DRA DRAM riešenia na svete založené na technológii 12nm procesu, ktoré môže podporovať až 128 GB pamäťových modulov.
Výrobcovia pamäť, ako sú SK Hynix a Micron, doteraz poskytli 24 GB DDR5 DRAM, ktorý môže dosiahnuť roztok pamäť 96 GB, ale spoločnosť Samsung zvýšila kapacitu o 33,3% s roztokom na úrovni 12nm.Zároveň Micron tiež potvrdil spustenie 32 GB DDR5 DRAM, ale doteraz bola vydaná iba cestovná mapa.
Spoločnosť Samsung oznámila začiatok hromadnej výroby 12 GB DDR5 DRAM na úrovni 12 nm v máji tohto roku.Nová 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM sa plánuje začať hromadnú výrobu na konci tohto roka.
Spoločnosť Samsung uviedla, že s DRAM s úrovňou 12nm 32 GB môže riešenie, ktoré môže dosiahnuť až 1 TB modulov DRAM, uspokojiť rastúci dopyt po vysokokapacitnej dráme v ére umelej inteligencie.
Spoločnosť Samsung vyvinula svoju prvú 64 kB DRAM v roku 1983 a za posledných štyridsať rokov úspešne zvýšila svoju kapacitu DRAM o 500 000 -krát.
Najnovšie pamäťové produkty spoločnosti Samsung sa vyvíjajú pomocou špičkových procesov a technológií na zlepšenie hustoty integrácie a optimalizácie dizajnu.Majú najvyššiu kapacitu singlových čipov v tomto odvetví a poskytujú dvojnásobnú kapacitu 16 GB DDR5 DRAM v rovnakej veľkosti obalov.
Predtým DDR5 128 GB DRAM moduly vyrobené pomocou 16 GB DRAM vyžadovali použitie kremíka prostredníctvom technológie diery (TSV).Teraz, pomocou DRAM SAMSUNG 32 GB, je možné vyrábať 128 GB modulov bez použitia technológie TSV, pričom sa zníži spotreba energie o približne 10% v porovnaní s modulmi 128 GB pomocou 16 GB DRAM.Vďaka tomuto technologickému prielomu je tento produkt jedným z najlepších riešení podnikov na energetickú účinnosť, ako sú dátové centrá.
Na základe 12nm úrovne 32 GB DDR5 DRAM plánuje spoločnosť Samsung pokračovať v rozširovaní svojej vysokokapacitnej produktovej zostavy DRAM, aby vyhovovala súčasným a budúcim potrebám výpočtového a IT priemyslu.Spoločnosť Samsung opätovne potvrdzuje svoje vedúce postavenie na trhu DRAM ďalšej generácie tým, že zákazníkom v dátových centrách, umelej inteligencii a výpočtových aplikáciách novej generácie poskytne DRAM úrovne 32 GB.
Spoločnosť Samsung oznámila začiatok hromadnej výroby 12 GB DDR5 DRAM na úrovni 12 nm v máji tohto roku.Nová 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM sa plánuje začať hromadnú výrobu na konci tohto roka.
Spoločnosť Samsung uviedla, že s DRAM s úrovňou 12nm 32 GB môže riešenie, ktoré môže dosiahnuť až 1 TB modulov DRAM, uspokojiť rastúci dopyt po vysokokapacitnej dráme v ére umelej inteligencie.
Spoločnosť Samsung vyvinula svoju prvú 64 kB DRAM v roku 1983 a za posledných štyridsať rokov úspešne zvýšila svoju kapacitu DRAM o 500 000 -krát.
Najnovšie pamäťové produkty spoločnosti Samsung sa vyvíjajú pomocou špičkových procesov a technológií na zlepšenie hustoty integrácie a optimalizácie dizajnu.Majú najvyššiu kapacitu singlových čipov v tomto odvetví a poskytujú dvojnásobnú kapacitu 16 GB DDR5 DRAM v rovnakej veľkosti obalov.
Predtým DDR5 128 GB DRAM moduly vyrobené pomocou 16 GB DRAM vyžadovali použitie kremíka prostredníctvom technológie diery (TSV).Teraz, pomocou DRAM SAMSUNG 32 GB, je možné vyrábať 128 GB modulov bez použitia technológie TSV, pričom sa zníži spotreba energie o približne 10% v porovnaní s modulmi 128 GB pomocou 16 GB DRAM.Vďaka tomuto technologickému prielomu je tento produkt jedným z najlepších riešení podnikov na energetickú účinnosť, ako sú dátové centrá.
Na základe 12nm úrovne 32 GB DDR5 DRAM plánuje spoločnosť Samsung pokračovať v rozširovaní svojej vysokokapacitnej produktovej zostavy DRAM, aby vyhovovala súčasným a budúcim potrebám výpočtového a IT priemyslu.Spoločnosť Samsung opätovne potvrdzuje svoje vedúce postavenie na trhu DRAM ďalšej generácie tým, že zákazníkom v dátových centrách, umelej inteligencii a výpočtových aplikáciách novej generácie poskytne DRAM úrovne 32 GB.